OmniGrade殘余氣體分析系統(tǒng)
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摘要
OmniGrade 殘余氣體分析系統(tǒng)? OmniGrade 殘余氣體分析系統(tǒng)是超高真空環(huán)境的精密監(jiān)測專家，憑借四極桿質(zhì)譜技術(shù)實現(xiàn) 10?12 Pa 級檢測靈敏度，捕捉 H?、O?等痕量氣體。適配分析實驗室材料表征、高能物理加速器真空維護(hù)、半導(dǎo)體 EUV 光刻潔凈監(jiān)測等場景，模塊化設(shè)計支持定制檢測范圍，搭配技術(shù)團(tuán)隊 7×24 小時服務(wù)，為科研與生產(chǎn)的真空工藝優(yōu)化提供可靠數(shù)據(jù)支撐。立即咨詢獲取定制方案！
產(chǎn)品介紹
OmniGrade殘余氣體分析系
技術(shù)規(guī)格ISO
尺寸圖
OmniGrade
OmniGrade 殘余氣體分析系統(tǒng)：超高真空環(huán)境下的精密氣體監(jiān)測專家
核心優(yōu)勢：
作為普發(fā)真空（Pfeiffer Vacuum）研發(fā)的定制化解決方案，OmniGrade 殘余氣體分析系統(tǒng)（RGA）專為
超高真空環(huán)境下的痕量氣體檢測與潔凈度驗證設(shè)計。其模塊化架構(gòu)集成四極桿質(zhì)譜技術(shù)（可選配 PrismaPro 或 HiQuad 質(zhì)譜儀），可實現(xiàn)
10?¹² Pa 量級的檢測靈敏度，識別 H?、O?、N?、CO?等氣體成分及微小泄漏。系統(tǒng)支持高溫烘烤（最高 300℃）和自動化樣品傳輸，有效降低背景噪聲，確保復(fù)雜工況下數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性與重復(fù)性。
三大核心市場與應(yīng)用場景：
分析實驗室與材料研發(fā)
在半導(dǎo)體材料表征、納米涂層放氣率測試等場景中，OmniGrade 通過實時監(jiān)測真空腔體內(nèi)的氣體成分變化，幫助科研人員優(yōu)化工藝參數(shù)。例如，通過量化高分子材料在真空環(huán)境下的氣體釋放動力學(xué)，支撐航天器件材料選型。其模塊化設(shè)計支持與掃描電鏡、X 射線衍射儀等設(shè)備無縫集成，實現(xiàn)材料表面吸附 / 脫附過程的原位分析。
高能物理與粒子加速器
在粒子加速器、核聚變裝置等超高壓真空系統(tǒng)中，OmniGrade 可實時追蹤因管道焊接缺陷或密封件失效導(dǎo)致的泄漏，確保 10?? Pa 級真空度的長期穩(wěn)定。其快速響應(yīng)能力（毫秒級）可捕捉離子束傳輸過程中因氣體散射引發(fā)的能量損失，助力 CERN、費(fèi)米實驗室等機(jī)構(gòu)的前沿研究。
半導(dǎo)體制造與 EUV 光刻
針對 EUV 光刻機(jī)等極端潔凈環(huán)境，OmniGrade 嚴(yán)格遵循 GSA 07 1221 & GSA 07 2221 標(biāo)準(zhǔn)，通過監(jiān)測光刻膠揮發(fā)物、工藝氣體殘留等污染物，將芯片良率提升至 99% 以上。在 PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）工藝中，系統(tǒng)可識別 H?O 分壓異常，自動觸發(fā)腔體烘烤程序，避免因水分子污染導(dǎo)致的薄膜透光率下降 1.5%。
技術(shù)亮點與行業(yè)價值：
定制化全流程解決方案：從雙腔室基礎(chǔ)配置到集成負(fù)載鎖定腔的三腔室設(shè)計，OmniGrade 可根據(jù)客戶需求靈活調(diào)整檢測范圍（1-200 amu）與檢測模式（FC/EM 雙模式切換），兼顧成本與性能。
工業(yè) 4.0 兼容性：支持 OPC UA、Modbus 等協(xié)議，可通過 FabGuard 軟件實現(xiàn)多批次數(shù)據(jù)建模與異常預(yù)警，幫助晶圓廠建立 “成分 - 工藝 - 缺陷” 關(guān)聯(lián)分析體系。
可持續(xù)性設(shè)計：采用節(jié)能型渦輪分子泵（如 Hipace 300 M）和低功耗質(zhì)譜模塊，相比傳統(tǒng)設(shè)備降低能耗 30%，同時減少 90% 的氦氣消耗量。
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（注：文中數(shù)據(jù)基于普發(fā)真空公開技術(shù)文檔及行業(yè)應(yīng)用案例，具體參數(shù)可根據(jù)需求定制。）
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